成果名稱：新型功率半導(dǎo)體器件VDMOS開發(fā)

完成單位：吉林華微電子股份公司

成果來源：計(jì)劃外自選項(xiàng)目

批 準(zhǔn) 號(hào)：鑒字［2007］第017號(hào)

成果簡(jiǎn)介：該項(xiàng)目對(duì)新型功率半導(dǎo)體器件VDMOS產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了開發(fā)。在器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)上，采取鈍角代替直角，減少了在溝道拐角處電荷的富集，減低了局域電場(chǎng)，提高了器件的擊穿電壓；在器件制備工藝上，采用襯底粗糙技術(shù)，降低了通態(tài)電阻；采用高能量As離子注入和薄二氧化硅保護(hù)層技術(shù)相結(jié)合，既避免了高能離子注入對(duì)半導(dǎo)體材料的損傷效應(yīng)，又提高了界面截流子濃度，改善了均勻性；采用復(fù)合柵技術(shù)，減低了柵極電阻，提高了器件的穩(wěn)定性。產(chǎn)品經(jīng)中國賽寶（吉林）實(shí)驗(yàn)室/吉林省電子信息產(chǎn)品監(jiān)督檢驗(yàn)研究院檢測(cè)，主要性能指標(biāo)達(dá)到了fairchild公司同類產(chǎn)品水平。