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公司動態(tài)

“十四五”規(guī)劃力挺科技創(chuàng)新 半導(dǎo)體發(fā)展進入快速通道

2020/12/8 | 來自:人力資源

  

     在中美貿(mào)易摩擦和市場需求的雙重刺激下,國家層面和行業(yè)企業(yè)均開始推進半導(dǎo)體核心技術(shù)國產(chǎn)自主化,實現(xiàn)供應(yīng)鏈安全可控,加速了半導(dǎo)體器件的國產(chǎn)化替代進程。
    日前,又有消息稱,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃,計劃在2021~2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。
    “國家計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫進目前正在制定的‘十四五’規(guī)劃中,必將推動第三代半導(dǎo)體材料、器件和應(yīng)用技術(shù)的大力發(fā)展?!比A微電子表示,第三代半導(dǎo)體技術(shù),我國與國外在技術(shù)上差距小,大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體能夠使我們具有擁有和國際巨頭齊頭并進和換道超車的條件。

國家支持
    為推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,增強產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力,帶動傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造和產(chǎn)品升級換代,進一步促進國民經(jīng)濟持續(xù)、快速、健康發(fā)展,近些年來,中央及地方政府推出了一系列鼓勵和支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策。
    日前,中國共產(chǎn)黨第十九屆中央委員會第五次全體會議通過了《中共中央關(guān)于制定國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和二O三五年遠景目標的建議》(以下簡稱“建議”)。建議中明確指出,將瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學(xué)、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領(lǐng)域,實施一批具有前瞻性、戰(zhàn)略性的國家重大科技項目,以此來強化國家戰(zhàn)略科技力量。
    對此,業(yè)內(nèi)又有消息稱,我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃,計劃在2021~2025年期間,在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等各個方面,大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以期實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨立自主。
    事實上,此前工業(yè)和信息化部也表示,積極考慮將5G、集成電路、生物醫(yī)藥等重點領(lǐng)域納入“十四五”國家專項規(guī)劃,進一步引導(dǎo)企業(yè)突破核心技術(shù),依托重大科技專項、制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展專項等加強關(guān)鍵核心技術(shù)和產(chǎn)品攻關(guān),加強技術(shù)領(lǐng)域國際合作,有力有效解決“卡脖子”問題,為構(gòu)建現(xiàn)代化經(jīng)濟體系、實現(xiàn)經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐。
    在南京世界半導(dǎo)體大會暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露:國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃都已經(jīng)明確,第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向,現(xiàn)在到了動議討論實施方案的階段。
    “國家計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫進目前正在制定的‘十四五’規(guī)劃中,必將推動第三代半導(dǎo)體材料、器件和應(yīng)用技術(shù)的大力發(fā)展。”華微電子表示,我國在第三代半導(dǎo)體技術(shù)方面起步相對國外要晚,在材料、器件等關(guān)鍵技術(shù)上還有瓶頸,目前的環(huán)境下推動了相關(guān)第三代半導(dǎo)體技術(shù)的研究和企業(yè)發(fā)展,這對解決和推進關(guān)鍵技術(shù)、加大研發(fā)和生產(chǎn)資金投入有積極作用。
彎道超車
    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程,其先后經(jīng)歷了以硅(Si)為代表的第一代半導(dǎo)體材料,以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料,在20世紀,這兩代半導(dǎo)體材料為工業(yè)進步、社會發(fā)展做出了巨大貢獻。而如今,以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅、金剛石、氮化鋁為代表的寬禁帶半導(dǎo)體雖處于初期階段,但是市場已經(jīng)顯示出了巨大的需求。
    作為一類新型寬禁帶半導(dǎo)體材料,第三代半導(dǎo)體材料在許多應(yīng)用領(lǐng)域擁有前兩代半導(dǎo)體材料無法比擬的優(yōu)點,如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點,可實現(xiàn)高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力。因此,第三代半導(dǎo)體在電力電子方面有廣闊的應(yīng)用前景,可以廣泛應(yīng)用于5G通信、工業(yè)機電、軌道交通、消費電子等領(lǐng)域,應(yīng)用前景廣闊、市場容量增長潛力巨大。
    國家知識產(chǎn)權(quán)局學(xué)術(shù)委員會編寫的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)專利分析報告內(nèi)的數(shù)據(jù)顯示,2017年,碳化硅、氮化鎵在電力電子器件市場規(guī)模合計達2.9億~3.3億美元,意味著2017年第三代半導(dǎo)體電力電子器件的市場占有率已經(jīng)達到2.2%~2.5%,在2020年將超過10億美元,并將于2025年達到37億美元。
    也有觀點認為,由于第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)明并實用于本世紀初年,各國的研究水平相差不遠,還未形成規(guī)模壟斷,在第三代半導(dǎo)體光電子材料和器件領(lǐng)域與國際先進水平相比處于并跑狀態(tài),在市場需求和產(chǎn)業(yè)化水平方面處于領(lǐng)跑狀態(tài),隨著國家戰(zhàn)略層面支持力度的加大,加上在5G、新能源汽車、能源互聯(lián)網(wǎng)、軌道交通、國防軍備等下游應(yīng)用領(lǐng)域快速發(fā)展帶動下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。
    因此,業(yè)界普遍認為,國內(nèi)企業(yè)積極準備,主動布局,是一個順應(yīng)產(chǎn)業(yè)和技術(shù)潮流的事情。及早布局,可以避免目前以硅為代表的二代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的被動局面。
    “第三代半導(dǎo)體技術(shù),我國與國外在技術(shù)上差距小,大力發(fā)展第三代半導(dǎo)體能夠使我們具有和國際巨頭齊頭并進和換道超車的條件。”華微電子也認為,伴隨科技創(chuàng)新浪潮席卷全球,新能源汽車及充電樁、5G等新一代通信技術(shù)、光伏等飛速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展空間巨大。同時這些應(yīng)用也對功率半導(dǎo)體提出了新的要求,第三代半導(dǎo)體以其優(yōu)異的性能和潛力,成為電力電子器件發(fā)展的新趨勢。
積極布局
    在過去的兩年,受益于整個半導(dǎo)體行業(yè)宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業(yè)廣泛進入等因素,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展,涌現(xiàn)了第三代半導(dǎo)體材料投資熱潮。
    不過,第三代半導(dǎo)體并非是在第一代、第二代半導(dǎo)體的技術(shù)上進行一種簡單的迭代,而是一個全新的技術(shù)架構(gòu)。這要求真正有能力、有自主知識產(chǎn)權(quán)的企業(yè)能夠沉淀下來去做這件事。
    在過去的半個多世紀中,華微電子持續(xù)突破諸多關(guān)鍵技術(shù),加速推動功率半導(dǎo)體器件的國產(chǎn)化替代,助力我國工業(yè)強基與民族產(chǎn)業(yè)發(fā)展,成為具有國際競爭力的功率半導(dǎo)體企業(yè)。
    “最大的瓶頸是原材料。”華微電子表示,我國原材料的質(zhì)量、制備問題亟待破解;另外相關(guān)材料制備的關(guān)鍵設(shè)備依靠進口;SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚,與國外相比水平還有差距;其應(yīng)用技術(shù)的研究比較關(guān)鍵,若相關(guān)配套技術(shù)及產(chǎn)品跟不上,第三代半導(dǎo)體的材料及器件的作用和效率可能會發(fā)揮不好。
    作為首家國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域上市公司,華微電子堅持生產(chǎn)一代、儲備一代、研發(fā)一代的技術(shù)開發(fā)戰(zhàn)略,早已積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)、制造。
    在5G、新能源汽車、能源互聯(lián)網(wǎng)、軌道交通、國防軍備等下游應(yīng)用領(lǐng)域快速發(fā)展帶動下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。因此,業(yè)界普遍認為,國內(nèi)企業(yè)積極準備,主動布局,是一個順應(yīng)產(chǎn)業(yè)和技術(shù)潮流的事情。及早布局,可以避免目前以硅為代表的二代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的被動局面。
    “目前SiC產(chǎn)品已經(jīng)可以提供二極管產(chǎn)品、GaN器件可以提供快充使用的FET。”華微電子表示,下一步,將進一步發(fā)揮公司的IDM模式的優(yōu)勢,集中精力研究三代半導(dǎo)體的關(guān)鍵產(chǎn)品技術(shù)和應(yīng)用技術(shù),完善相關(guān)生產(chǎn)線開發(fā)和制造能力,為消費類、工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域提供優(yōu)異的三代半導(dǎo)體電力電子器件。
    為擴大公司生產(chǎn)線,2019年,華微電子以每股3.90元價格公開發(fā)行2.1億股(占發(fā)行后總股本22.08%),募集資金總額8.3億元,用于新型電力電子器件基地項目(二期)投資。
    華微電子介紹,新型電力電子器件基地項目(二期)建成以后能夠有力地補充公司的產(chǎn)品種類和提升產(chǎn)品性能。二期項目規(guī)劃的產(chǎn)品主要是中低壓MOSFET、IGBT和超結(jié)MOSFET產(chǎn)品,主要應(yīng)用市場是電池保護、電動工具、基站電源、工業(yè)控制、充電樁和汽車電子,在這些領(lǐng)域華微電子產(chǎn)品技術(shù)儲備完善,建成后可以快速發(fā)揮IDM模式的優(yōu)勢,快速提升產(chǎn)品線的盈利能力。在當前國產(chǎn)化替代趨勢的環(huán)境下,有望快速突破高端領(lǐng)域。
    “未來,第三代半導(dǎo)體將與第一代、第二代半導(dǎo)體技術(shù)互補發(fā)展,對節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級、催生新的經(jīng)濟增長點發(fā)揮重要作用?!睒I(yè)內(nèi)人士認為,在國家全面推行“中國智造”大背景下,人工智能、新能源汽車、5G通信等越來越受到重視,第三代半導(dǎo)體材料受益于這些產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,將邁進發(fā)展快車道,同時,以華微電子為代表的半導(dǎo)體企業(yè)也將獲得長遠發(fā)展。


《中國經(jīng)營報》記者王登海北京報道


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