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吉林華微電子股份有限公司

公司動態(tài)

華微電子向高端功率半導體細分領域邁進

2020/11/2 | 來自:人力資源

       

      在半導體領域,功率器件的總體表現(xiàn)一向以平穩(wěn)著稱,然而近段時期產(chǎn)業(yè)熱度卻在迅速提高,相關投資擴建的消息不斷涌現(xiàn)。這與市場需求的迅速增長密切相關。
     “新基建”的激勵之下,市場對電力電子設備的需求越來越強烈,這為功率半導體器件行業(yè)的發(fā)展添了一把火。在功率半導體領域深耕多年的華微電子,也攜帶自身優(yōu)勢,率先入局新基建賽道,助推行業(yè)發(fā)展。
     在過去的半個多世紀中,華微電子持續(xù)突破諸多關鍵技術,加速推動功率半導體器件的國產(chǎn)化替代,助力我國工業(yè)強基與民族產(chǎn)業(yè)發(fā)展,成為具有國際競爭力的功率半導體企業(yè)。
     現(xiàn)如今,華微電子厚積薄發(fā),在國內功率半導體器件市場低端產(chǎn)品競爭加劇且中高端產(chǎn)品大量依賴進口的形勢下,華微電子也加快高端產(chǎn)品的推廣和研發(fā)布局,從2016年開始,華微電子便開始規(guī)劃生產(chǎn)高性能功率器件,包括超結MOSFET、 CCTMOSFET、Trench FS IGBT、超高壓快恢復二極管、Trench肖特基產(chǎn)品和大功率IGBT模塊等。
     未來幾年,隨著新能源汽車、5G通信等新興產(chǎn)業(yè)日益崛起,功率半導體市場需求勢必會持續(xù)增長,而作為國內主要功率半導體生產(chǎn)商之一的華微電子,其具有全系列的功率半導體器件門類,隨著國內功率半導體器件市場保持快速且穩(wěn)定的增長,華微電子也將迎來發(fā)展的快車道。


替代進口的有力競爭者


     作為全球汽車和工業(yè)大國,中國是全球最大的功率半導體器件市場。然而,在經(jīng)濟的快速發(fā)展中,國外在極力阻止中國的崛起特別是美國對中國高科技技術發(fā)展制造了障礙,中興、華為事件給我國功率半導體行業(yè)的發(fā)展敲響了警鐘,目前中國功率半導體市場被美國、歐洲和日本品牌掌控,在國內市場占有絕對的優(yōu)勢,市場占有率60%以上。
     華微電子自成立以來,一直致力于建設芯片制造能力,擴大生產(chǎn)線規(guī)模及提高芯片交付能力,目前擁有4英寸、5英寸與6英寸功率半導體芯片生產(chǎn)線,加工能力為每年400萬片,在建8英寸生產(chǎn)線,設計產(chǎn)能96萬片/年,具有單管封裝資源為24億只/年,IPM模塊封裝1800萬塊/年。
     經(jīng)歷了半個多世紀的技術積累,華微電子在終端設計、工藝制造和產(chǎn)品設計方面擁有了多項專利及工藝訣竅,尤其在IGBT薄片工藝、Trench工藝、壽命控制和終端設計技術等方面擁有獨特的核心技術達到國內領先,國際同行業(yè)先進水平。其中,IGBT產(chǎn)品五大關鍵技術,包括薄片制造技術、透明集電極IGBT制造技術、縱向和橫向結構設計技術、背面注入及激活和硅片測試技術均已攻破難關,研發(fā)完成600V-650V,1200V-1350V的IGBT產(chǎn)品,產(chǎn)品采用國際主流的Trench-FS技術,主要應用在新能源電動汽車、變頻家電和電磁爐等領域。TrenchMOS先后經(jīng)歷了幾代產(chǎn)品開發(fā)后,成功解決了深Trench刻蝕技術、阻擋層金屬化淀積技術、W回刻技術等,已經(jīng)完成了30V-250V的產(chǎn)品開發(fā)。

     “要實現(xiàn)國產(chǎn)化替代,目前公司面臨的主要困難是客戶對國產(chǎn)半導體功率器件的接受度,主要是在新的應用領域和高端應用領域,需要客戶給予一定的機會和時間,給予國產(chǎn)品牌與客戶磨合的機會?!比A微電子表示,當下,公司主要解決的問題是,在產(chǎn)品應用方面加強與客戶的交流和改進,同時根據(jù)客戶的實際應用需求開發(fā)更加契合應用場景的定制化產(chǎn)品。而這也逐漸在實現(xiàn),華微電子的產(chǎn)品廣泛應用于消費類電子、汽車電子、電力電子、工業(yè)控制與LED照明等領域,并不斷在新能源汽車、光伏逆變、軌道交通等戰(zhàn)略性新興領域快速拓展,是飛利浦、松下、日立、海信、創(chuàng)維、長虹等國內外知名企業(yè)的配套供應商。


向高端細分領域邁進


     在國內功率半導體器件市場低端產(chǎn)品競爭加劇且中高端產(chǎn)品大量依賴進口的形勢下,華微電子也加快高端產(chǎn)品的推廣和研發(fā)布局,在工業(yè)、汽車電子、5G、充電樁等領域產(chǎn)品的應用,已經(jīng)取得一定的效果,并獲得了國內知名企業(yè)的認可。
     談及未來的發(fā)展,華微電子表示將繼續(xù)以公司傳統(tǒng)的功率半導體芯片制造為核心,繼續(xù)做大做強芯片制造能力,縱向發(fā)展建立8英寸芯片生產(chǎn)線,實現(xiàn)高端VDMOS、IGBT器件制造,滿足快速增長的市場需要,橫向擴展建立硅外延生產(chǎn)線,保證材料安全供應,建立封裝測試生產(chǎn)線,重點建設模塊生產(chǎn)線,向高壓大功率方向發(fā)展,打造功率半導體產(chǎn)業(yè)制造基地,完善功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈,加速功率半導體國產(chǎn)化進程。
     “華微電子會繼續(xù)發(fā)展自主研發(fā)、平臺建設的IDM優(yōu)勢,不斷升級硅基功率器件的性能和品質。公司具有IGBT、MOSFET、二極管、可控硅和BJT等全功率器件工藝平臺,包括單管、IPM及PM等各類封裝形式的產(chǎn)品,未來公司仍會把功率半導體作為主要的技術發(fā)展方向,結合公司市場領域,逐步建立配套的驅動IC生產(chǎn)線。”華微電子表示,在中低壓MOSFET上,公司將進一步升級現(xiàn)有技術平臺,不久將會推出第二代CCT MOSFET,以100V產(chǎn)品為例,單位面積導通電阻達到40毫歐。完善產(chǎn)品電壓等級,建立起從10V~250V產(chǎn)品的全系列的電壓平臺,除了在消費類領域內應用外,拓展到服務器電源、5G、工業(yè)、人工智能和汽車電子。
     對于高壓MOSFET,今年年底會推出第二代超結MOSFET產(chǎn)品,進一步提升該系列產(chǎn)品的耐用性和效率,應用于充電樁和基站電源。在未來2~3年我們會繼續(xù)提升超結MOS平臺,采用多層外延結構,開發(fā)第三代超結MOS平臺,達到與國際品牌一致的性能,產(chǎn)品系列涵蓋了500V-900V,4A-72A全系列,能滿足各個領域的產(chǎn)品需求。

     “FRD二極管和IGBT一直是我們的核心產(chǎn)品,在未來2~3年,我們將致力于開發(fā)用于軌道交通和電網(wǎng)領域內需求的超高壓產(chǎn)品系列,電壓涵蓋1700V~6500V?!比A微電子還表示,Trench肖特基方面,公司已完成45V、60V、100V產(chǎn)品Trench SBD平臺建設,正在開發(fā)80V、150V產(chǎn)品平臺,具備勢壘高度可調技術,可滿足客戶對于使用效率的更高需求,比平面產(chǎn)品具有更高的可靠性能力,應用在光伏領域和電源領域。此外,華微電子積極布局GaN和SiC器件,研發(fā)和生產(chǎn)增強型GaNHEMT,先在快充領域做GaN器件和應用方案,然后過渡到工業(yè)和通信電源領域;對于SiC器件,目前已經(jīng)研發(fā)出了650V SBD二極管產(chǎn)品,將進一步拓展到1200V二極管和SiC MOSFET,主要應用于新能源汽車及充電樁。


市場紅利漸釋放


     近幾年來,中國功率半導體器件在工業(yè)控制、汽車電子、網(wǎng)絡通訊等多領域應用帶動下,需求持續(xù)上漲,中國功率半導體器件市場保持快速且穩(wěn)定的增長。
     “受新冠肺炎疫情影響,2020年功率半導體市場將會面臨一定幅度的回落,之后將迎來快速復蘇,預計到2022年,中國功率半導體市場規(guī)模將達到1960億元,2019~2022年年均復合增長率將會達到3.7%。”華微電子認為,未來幾年,國內市場對功率半導體的需求仍然強勁。
     這對華微電子來說,公司利潤持續(xù)穩(wěn)定增長已經(jīng)有跡可循,公司具有全系列的功率半導體器件門類,隨著市場需求的增長,公司也將會迎來發(fā)展的快車道。
     而從細分市場結構來看,工業(yè)控制、汽車和網(wǎng)絡通信,需求將大幅增長,其中MOSFET和IGBT成為最大受益產(chǎn)品。業(yè)內預計,2022年,MOSFET和IGBT的市場份額合計占比超過30%,其MOSFET復合增長率為5.4%,至2022年市場規(guī)模將達到365億元;IGBT年市場規(guī)模達到251億元,復合增長率7.4%。
     “MOSFET和IGBT已成為最主流的功率器件之一,廣泛應用于汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車、充電樁、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領域?!钡?,高端的MOSFET和IGBT絕大部分進口,只有華微電子等少數(shù)廠商可以生產(chǎn),目前先進的生產(chǎn)技術基本被國外廠商壟斷,全球最大的功率器件生產(chǎn)商有德國的英飛凌、美國的安森美、日本的三菱機電等。
     2019年初,華微電子計劃投資新型電力電子器件基地項目建設,本次投資主要是為了建設8英寸生產(chǎn)線,以滿足公司新型功率器件的生產(chǎn),項目生產(chǎn)的產(chǎn)品主要有IGBT、低壓Trench- MOS、超結MOS以及IC芯片,針對的市場是目前國內相對空白的高低功率半導體市場,產(chǎn)品下游市場增長迅速,進口替代空間巨大。投資項目產(chǎn)品性能和技術水平雖然與國際大廠的產(chǎn)品還略有差距,但是其主要性能已經(jīng)和國際主流公司的產(chǎn)品相當,個別參數(shù)還具有一定優(yōu)勢。業(yè)內預測,未來幾年,隨著中高端技術產(chǎn)品在市場規(guī)模化應用,新產(chǎn)品、新領域重點項目指標的達成將帶動華微電子整體業(yè)績持續(xù)穩(wěn)步增長。

《中國經(jīng)營報》記者王登海北京報道


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